多敏化剂的硅基铒摻氧化镓器件中的增强发射 -国际云顶yd4008

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时间: 2026-01-29

来源:x-mol

提出了一种基于硅的铒摻氧化镓装置,含有镈和铬的敏化剂,可用于增强铒离子的发射。研究发现,铬会引入正固定电荷,影响电子通过的势垒,同时产生载流子散射势,导致无受体氧化镓器件的导电性降低。铑、铬和铒离子之间存在复杂的能量转移通道,铒离子可以同时被铈和铬离子敏化,铈离子也会将能量转移给铬离子。在铬浓度~1.7%的优化下,该装置可在~8.5 伏启动,最大输出强度为~0.12mw/cm²,由镶和铬离子的协同敏化效应驱动,该强度是无铬离子的 40 倍。



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